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CMU05N03A
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- 05N03A采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合PWM、负载开关及通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU05N03A
- 商品编号
- C7501170
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.570938克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 765pF |
商品概述
CMN3402ZM采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 33mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 55mΩ
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
应用领域
- DC/DC转换器
- 便携式设备的负载开关
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