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CMD170P03A
1个P沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD170P03A
- 商品编号
- C7501162
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品概述
035N06采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。
商品特性
- 低导通电阻
- 高电流承载能力
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器-电源-动力电机控制