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CMD035N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并最大程度降低功率转换应用的损耗。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD035N06
- 商品编号
- C7501161
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
2301D是高单元密度的沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 2301D符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了完整的可靠性测试。
商品特性
- 低导通电阻
- 高电流承载能力
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-电源-动力电机控制