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CMD031N03L
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
- 描述
- 031N03L采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD031N03L
- 商品编号
- C7501160
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@4.5V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
JMT N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 40V、120A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 4.3 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 7.5 mΩ
- 有无铅和环保器件可供选择
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关-PWM应用-电源管理