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JMTK4004A
N沟道增强型功率MOSFET
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- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTK4004A
- 商品编号
- C7501101
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48904克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
20P02D是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20P02D符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 40V、120A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 4.3 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 7.5 mΩ
- 有无铅和环保器件可供选择
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理