WML80R350S
800V、0.27Ω超结功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WMOS S 是新一代超结 MOSFET 产品系列,采用电荷平衡技术,具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS S 适用于对功率密度和效率有较高要求的应用场景。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WML80R350S
- 商品编号
- C7498783
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 183W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.46nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
SI2312A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 6A
- RDS(ON) < 27mΩ(VGS = 4.5V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
