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WMZ26N65C4
WMZ26N65C4
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMZ26N65C4
- 商品编号
- C7498791
- 商品封装
- PDFN-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.420733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WMOS™ C4是第四代超结MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和栅极电荷性能。WMOS™ C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 最大结温下，VDS = 750 V
- 典型RDS(on) = 0.26 Ω
- 100%进行UIS测试
- 无铅镀层，无卤素
应用领域
- LED照明-充电器-适配器-个人电脑-液晶电视-服务器
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