商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WMOST™ SR是新一代超结MOSFET系列，采用电荷平衡技术，实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOsT™ SR适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 最大结温Tj时,VDS = 650 V
- 典型RDS(on) = 0.26 Ω
- 100%进行UIS测试
- 无铅镀层,无卤素
应用领域
-LED照明-充电器-适配器-个人电脑-液晶电视-服务器