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WML25N80M3
800V、0.21Ω超结功率MOSFET
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- 描述
- WMOSTM M3 是第三代 800V 超结 MOSFET 产品系列，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSTM M3 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WML25N80M3
- 商品编号
- C7498796
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.224nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 最高结温时VDS = 850V
- 典型RDS(on) = 0.21 Ω
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 无铅镀层,无卤素
应用领域
-LED照明-充电器-适配器-个人电脑-液晶电视-服务器
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