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WMO80R720S

800V、0.68Ω超结功率MOSFET

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描述
WMOSTM S 是新一代超结 MOSFET 系列产品,采用电荷平衡技术,具备极低的导通电阻和栅极电荷特性。WMOSTM S 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品型号
WMO80R720S
商品编号
C7498788
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.53364克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))680mΩ@10V,1A
耗散功率(Pd)31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss)625pF@100V
反向传输电容(Crss)0.6pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)18pF

商品概述

WMOS™ S 是新一代超结 MOSFET 系列,采用电荷平衡技术,实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS™ S 适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。

商品特性

  • 最大结温下 VDS = 850 V
  • 典型 RDS(on) = 0.27 Ω
  • 100% 进行非钳位感性开关(UIS)测试
  • 无铅镀层、无卤素

应用领域

  • LED 照明
  • 充电器
  • 适配器
  • 个人电脑
  • 液晶电视
  • 服务器

数据手册PDF