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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WMO10N70C4

700V超结功率MOSFET

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描述
利用电荷平衡技术实现极低导通电阻和低栅极电荷性能,适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
商品型号
WMO10N70C4
商品编号
C7498790
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.51328克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))520mΩ@10V
耗散功率(Pd)27W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)9.6nC@10V
输入电容(Ciss)415pF
反向传输电容(Crss)950fF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

WMOS™ C4 是第四代超结 MOSFET 系列,采用电荷平衡技术,具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS™ C4 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。

商品特性

  • 最高结温(Tj)下,VDS = 750 V
  • 典型 RDS(on) = 0.52 Ω
  • 经过 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
  • 无铅镀层、无卤

应用领域

  • LED 照明
  • 充电器
  • 适配器
  • 个人电脑(PC)
  • 液晶电视(LCD TV)
  • 服务器

数据手册PDF