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WML26N65SR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.646nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WMOS™ C4是第四代超结MOSFET系列，采用电荷平衡技术，实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSS™ C4适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 最大结温Tj时，VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.16 Ω
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量测试
- 无铅镀层，无卤素
应用领域
- LED照明
- 充电器
- 适配器
- 个人电脑
- 液晶电视
- 服务器