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WML15N70C4实物图
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WML15N70C4

700V、0.26Ω超结功率MOSFET

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描述
利用电荷平衡技术,具备极低导通电阻和低栅极电荷性能,适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品型号
WML15N70C4
商品编号
C7498785
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
3.089克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V,2A
耗散功率(Pd)86W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)14.6nC@10V
输入电容(Ciss)770pF@100V
反向传输电容(Crss)1.6pF@100V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)28pF

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