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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WML15N70C4

700V、0.26Ω超结功率MOSFET

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私有库下单最高享92折
描述
利用电荷平衡技术,具备极低导通电阻和低栅极电荷性能,适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品型号
WML15N70C4
商品编号
C7498785
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
3.089克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V
耗散功率(Pd)86W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)14.6nC@10V
输入电容(Ciss)770pF
反向传输电容(Crss)1.6pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)28pF

商品概述

AOD9N40采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件具有低导通电阻RDS(on)、低输入电容Ciss和低反向传输电容Crss,同时具备有保证的雪崩能力,因此能够快速应用于新的和现有的离线式电源设计中。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光源的升压转换器和同步整流器。

商品特性

  • 最大结温下,VDS = 750 V
  • 典型RDS(on) = 0.26 Ω
  • 100%进行UIS测试
  • 无铅镀层,无卤素

应用领域

-LED照明-充电器-适配器-个人电脑-液晶电视-服务器

数据手册PDF