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WMO25N10T1
100V N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- WMO25N10T1采用先进的功率沟槽技术，该技术经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMO25N10T1
- 商品编号
- C7498782
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V；35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.332nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61.5pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -100 V，漏极电流（ID） = -20 A，当栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 90 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。