温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
4N0403 TO263-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,40V；150A；RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 4N0403 TO263-VB
- 商品编号
- C7494612
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.292克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V；2.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- FQP7N20-VB
- SI4925DY-T1-E3-VB
- DMG4800LSD-13-VB
- SI2304DS-T1-E3-VB
- 02N80C3 TO252-VB
- AO9926C-VB
- AOD4126&19-VB
- AP2344GN-HF-VB
- CEM6088-VB
- DMN2400UV-VB
- FDMS0312S-VB
- IRF5801TRPBF-VB
- IRFHS8242TR2PBF-VB
- IRFRC20PBF-VB
- IRFS41N15DTRPBF-VB
- IRLTS6342TRPBF-VB
- MTB50P03HDLT4G-VB
- PMV50UPE-VB
- SI1470DH-T1-GE3-VB
- SI6562DQ-T1-GE3-VB
- SI7228DN-VB