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CMD65R280Q
1个N沟道 耐压:600V 电流:14A
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- 描述
- 使用先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过优化的电荷耦合技术，可提供更高的效率。这些用户友好的器件为设计人员提供了低电磁干扰以及低开关损耗的优势。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD65R280Q
- 商品编号
- C7470619
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V,6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |