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CMSC25NP02
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:25A
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- 描述
- CMSC25NP02是具有高单元密度的高性能沟槽N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC25NP02
- 商品编号
- C7470633
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻、高开关性能和出色的品质。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- N沟道+P沟道
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 大电流、高速开关
- 便携式设备应用