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IRFB3306
1个N沟道 耐压:60V 电流:150A
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- 描述
- 3306是一款N沟道功率MOSFET。它经过专门设计，可将输入电容和栅极电荷降至最低。因此，该器件适用于先进的高效开关应用
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- IRFB3306
- 商品编号
- C7470639
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.727克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
IRFS3306/IRFB3306采用先进的沟槽技术，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于大电流开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 同步整流
- 电源