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CMU12P10S
1个P沟道 耐压:100V 电流:9A
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- 描述
- 12P10S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU12P10S
- 商品编号
- C7470638
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.594375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
CMP5940B采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- P沟道
- 低导通电阻
- 快速开关
- 100%雪崩测试
应用领域
- 逆变器
- 电机驱动
- DC/DC转换器