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CMSC8015
1个N沟道 耐压:40V 电流:22A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET采用Cmos先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别设计，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC8015
- 商品编号
- C7470637
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0685克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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