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CMP110N06L
1个N沟道 耐压:60V 电流:110A
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- 描述
- 110N06L是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP110N06L
- 商品编号
- C7470626
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 236pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SRFET 85N03S采用先进的沟槽技术，集成了单片式肖特基二极管，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于多种应用场景。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 低导通电阻
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理