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CMS4463
1个P沟道 耐压:20V 电流:13A
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- 描述
- CMS4463采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和极低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS4463
- 商品编号
- C7470629
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SRFET™ 3090S采用先进的沟槽技术，集成了单片式肖特基二极管，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于多种应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑
- 锂离子电池应用
- 负载开关
- 电源管理