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CMS4410M
1个N沟道 耐压:30V 电流:12.5A
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- 描述
- CMS4410M采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为PWM应用中的同步开关。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS4410M
- 商品编号
- C7470628
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
F5N50是一款高压功率MOSFET，具备更优良的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
- 同步整流器
- 负载开关
- 电池保护