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CMF5015
1个N沟道 耐压:150V 电流:20A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关性能和出色的品质。这些器件非常适合用于高效开关DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF5015
- 商品编号
- C7470622
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
110N06L是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 低导通电阻
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理