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G230P06T
1个P沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G230P06T
- 商品编号
- C7465389
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.798克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
G1K1P06LL采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS -60V
- ID（VGS = -10 V时） -3A
- RDS(ON)（VGS = -10V时） < 110 mΩ
- RDS(ON)（VGS = -4.5V时） < 130 mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器