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GT042P06M
1个P沟道 耐压:60V 电流:160A
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- 描述
- VDS：-60V。ID (at VGS = -10V)：-160A。RDS(ON) (at VGS = -10V) < 4.5mΩ。RDS(ON) (at VGS = -4.5V) < 7.0mΩ。100% Avalanche Tested。RoHS Compliant
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT042P06M
- 商品编号
- C7465405
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 305nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.389nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GT009N04TL采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：40V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：340A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：< 0.95mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关-直流-直流转换器