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G040P04M
1个P沟道 耐压:40V 电流:222A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G040P04M
- 商品编号
- C7465406
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.675克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 222A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 206nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.391nF@20V | |
| 类型 | P沟道 |