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G75P04F
1个P沟道 耐压:40V 电流:54A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G75P04F
- 商品编号
- C7465420
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.882克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 666pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
G75P04F采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-40V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = -10V时）：-54A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = -10V时）：< 7mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = -4.5V时）：< 9mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器