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G030N06M
1个N沟道 耐压:60V 电流:223A
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G030N06M
- 商品编号
- C7465436
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.687克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 223A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 240W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 101nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 752pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 湿气敏感度等级3
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅镀层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准）