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G3K8N15KE
1个N沟道 耐压:150V 电流:6A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G3K8N15KE
- 商品编号
- C7465438
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 549pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
G030N06M采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：60V
- 漏极电流（ID）（栅源电压VGS = 10V时）：223A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：<3mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）：<3.8mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
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