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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

G700P06J

1个P沟道 耐压:60V 电流:23A

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描述
使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G700P06J
商品编号
C7465439
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.658333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.465nF@30V
反向传输电容(Crss)63pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)68pF

商品概述

G4614采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。

商品特性

  • NMOS
  • VDS 40V
  • ID（VGS = 10 V时）6A
  • RDS(ON)（VGS = 10 V时）< 30 mΩ
  • RDS(ON)（VGS = 4.5 V时）< 42 mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准
  • PMOS
  • VDS -40V
  • ID（VGS = -10 V时）
  • RDS(ON)（VGS = -10 V时）< 33 mΩ
  • RDS(ON)（VGS = -4.5V时）< 42 mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关-DC/DC转换器