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BD2671MWV-E2
高效多轨电源管理集成电路
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- 描述
- BD2671MWV是一款高效的电源管理集成电路,采用68引脚0.40mm间距QFN封装。该器件专为5V输入的应用设计,提供两个降压控制器、四个降压转换器、两个线性稳压器,并支持Intel Gemini Lake平台的低BOM成本解决方案。该器件还具有I2C接口、过流保护、欠压锁定、热关断保护和电源良好监控等功能。
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BD2671MWV-E2
- 商品编号
- C7465465
- 商品封装
- QFN-68-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.555克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BD2671MWV是一款集成式电源管理IC，采用68引脚、0.40mm间距的QFN封装，专为5V输入供电的应用而设计。该器件提供两个降压控制器、四个降压转换器和两个LDO，旨在满足英特尔Gemini Lake平台的特定电源需求，通过添加最少数量的外部组件来实现低BOM成本，以提供具有成本竞争力的解决方案，同时将故障降至最低，提高系统可靠性。
商品特性
- VSYS_V5A范围：4.5V至5.25V
- VSYS范围：5.4V至21V
- 用于外部驱动器的2通道降压控制器
- VCCGI电压：0.50V - 1.45V（VID可调），最大输出电流IOMAX = 25A
- VDDQ电压：1.1V/1.2V/1.35V，最大输出电流IOMAX = 7.0A
- 开关频率：VCCGI为666kHz，VDDQ为750kHz
- 可调节的电流限制阈值，可针对不同负载电流的不同应用进行优化
- 处理器核心（VCCGI）支持以10mV为步长的动态电压调节
- 用于DDR3L/LPDDR3/LPDDR4/DDR4的VDDQ电压选择的专用DDR_SEL0、1、2引脚
- VDDQ输出电压微调寄存器
- 不同DDR模式之间的VDDQ输出电压实时切换
- 集成开关FET的2通道2相降压稳压器
- VNN电压：0.50V - 1.45V（VID可调），最大输出电流IOMAX = 5.0A
- VCCRAM电压：1.05V，最大输出电流IOMAX = 5.0A
- 处理器核心（VNN）支持以10mV为步长的动态电压调节
- 通过I2C进行可编程电压控制（VCCRAM）
- 集成开关FET的2通道低功耗降压稳压器
- V1P8A电压：1.80V，最大输出电流IOMAX = 3.0A
- V1P2A电压：1.20V，最大输出电流IOMAX = 2.5A
- 通过I2C进行可编程电压控制
- 2通道线性稳压器
- VDDQ_VTT电压：VDDQ/2，最大输出电流IOMAX = 600mA
- LDO_VPP：通过DDR_SEL引脚配置自动选择1.8V/2.5V
- 2.5V输出支持DDR4，最大输出电流IOMAX = 1000mA
- LDO_VPP可选择用作外部开关的输出使能控制，用于LPDDR3或LPDDR4的低发热应用
- 每个VR均有可编程放电电阻
- PWM和PFM模式之间的无缝转换，实现最高效率性能
- 通过I2C控制的强制PWM模式功能
- 带可屏蔽中断的主机接口中断控制器
- 专用IRQ_B中断输出引脚
- 用于向主机发送PMIC过热信号的PROCHOT_B引脚（开漏）检测器
- 检测器
- 欠压锁定
- 过流保护
- 热关断保护和热芯片检测
- 所有降压电源输出的电源正常监控
- I2C接口可访问配置寄存器。内部寄存器包含完整的状态信息，便于诊断和主机控制故障情况。
- 灵活使用外部稳压器为VCCGI和VNN供电，可通过EXTMODE引脚轻松禁用内部VCCGI和VNN
- 当BOM成本比电源效率更敏感时，VCCRAM和V1P2A的功能可分别独立合并到VNN和VDDQ