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G1K3N10LL
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.4A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G1K3N10LL
- 商品编号
- C7465435
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 808pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
G3K8N15KE采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 漏源电压Vds：150V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：6A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：370 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）：390 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电（人体模型）>2.5KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器