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G60KN30I

1个N沟道 耐压:300V 电流:0.3A

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品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G60KN30I
商品编号
C7465427
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.048克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))4.2Ω@10V
耗散功率(Pd)710mW
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.5nC
输入电容(Ciss)68pF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)11pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

G60KN30I采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS):300V
  • 漏极电流(ID,VGS = 10V时):0.3A
  • 导通电阻(RDS(ON),VGS = 10V时):< 5.4Ω
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器