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G60KN30I
1个N沟道 耐压:300V 电流:0.3A
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G60KN30I
- 商品编号
- C7465427
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 710mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
G080N10M采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS):300V
- 漏极电流(ID,VGS = 10V时):0.3A
- 导通电阻(RDS(ON),VGS = 10V时):< 5.4Ω
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器