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GT016N10Q
1个N沟道 耐压:100V 电流:288A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT016N10Q
- 商品编号
- C7465428
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 288A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 329W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 565pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.838nF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 针对PWM优化
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 系统电源DC/DC