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GT130N10F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GT130N10F

1个N沟道 耐压:100V 电流:45A

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描述
使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于各种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
GT130N10F
商品编号
C7465431
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.86克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))9.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)41.7W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)1.215nF
反向传输电容(Crss)23pF@50V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)469pF

商品概述

GT130N10M采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS:100V
  • ID(VGS = 10V时):60A
  • RDS(ON)(VGS = 10V时):12mΩ
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关-DC/DC转换器