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G115P06T
1个P沟道 耐压:60V
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G115P06T
- 商品编号
- C7465410
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 211.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.359nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 478pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
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