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G080N10M
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G080N10M
- 商品编号
- C7465415
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.699克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V；6.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 192nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 362pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 432pF |
商品概述
G1NP02LLE采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于各种场景。
商品特性
- NMOS
- 漏源电压VDS 20V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10 V时）1.3A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5 V时）< 210 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 2.5 V时）< 270 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电（人体模型HBM）：2.0KV
- PMOS
- 漏源电压VDS -20V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10 V时）-1.1A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -4.5V时）< 460 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -2.5V时）< 600 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电（人体模型HBM）：2.0KV
应用领域
- 电源开关-DC/DC转换器