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G050P03D5
1个P沟道 耐压:30V 电流:85A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G050P03D5
- 商品编号
- C7465392
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.67nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 968pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GT042P06T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS -60V
- ID（VGS = -10V时） -160A
- RDS(ON)（VGS = -10V时） < 4.5 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器