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GT011N03D5E
1个N沟道 耐压:30V 电流:209A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT011N03D5E
- 商品编号
- C7465394
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.164克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 209A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 572pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.1nF |
商品概述
GT011N03D5E采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：30V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = 10V时）：209A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = 10V时） < 1.4mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = 4.5V时） < 2mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电（ESD）（人体模型（HBM））：6.5KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器