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GT180P08D5
1个P沟道 耐压:80V 电流:89A
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- 描述
- GT180P08D5采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT180P08D5
- 商品编号
- C7465397
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品概述
GT180P08D5采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-80V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = -10V时）：-89A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = -10V时）：< 18mΩ
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = -4.5V时）：< 21mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器