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G75P04T
1个P沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- 特性：- 低导通电阻: -VGS = -10V 时，RDS(ON) < 7mΩ。 -VGS = -4.5V 时，RDS(ON) < 9mΩ。100%雪崩测试。符合 RoHS 标准。应用：- 电源开关。DC/DC 转换器
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G75P04T
- 商品编号
- C7465403
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.838克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 277W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.985nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 698pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 761pF |
商品概述
G040P04T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS -40V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10 V时) -80A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10 V时) < 7 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5 V时) < 9 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流转换器