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GT042P06T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GT042P06T

1个P沟道 耐压:60V 电流:160A

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描述
特性:VDS:-60V。 ID (at VGS = -10V):-160A。 RDS(ON) (at VGS = -10V):< 4.5mΩ。 100% 雪崩测试。 符合 RoHS 标准。应用:电源开关。 DC/DC 转换器
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
GT042P06T
商品编号
C7465398
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.87克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))3.7mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)280W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)305nC@10V
类型P沟道

商品概述

G800N06S2采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS:60V
  • 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):3A
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 80 mΩ
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):< 85 mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器