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G6K8P15KE
1个P沟道 耐压:150V 电流:12A
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- 描述
- VDS：-150V。 ID (at VGS = -10V)：-12A。 RDS(ON) (at VGS = -10V)：< 800mΩ。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。 ESD (HBM)>7KV
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G6K8P15KE
- 商品编号
- C7465388
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 570mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@75V |
商品概述
G6K8P15KE采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-150V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS）= -10V时）：-12A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS）= -10V时）：< 800mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电（ESD）（人体模型（HBM））> 7KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器