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G800N06S2
2个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G800N06S2
- 商品编号
- C7465378
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 458pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品概述
G050P03T采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：-30V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10 V时）：-85A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10V时）：< 5 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -4.5V时）：< 6.5 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器