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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G080P06M

1个P沟道 耐压:60V 电流:195A

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描述
特性:VDS:-60V。 ID (at VGS = -10V):-195A。 RDS(ON) (at VGS = -10V) < 7.5mΩ。 100% Avalanche Tested。 RoHS Compliant。应用:Power switch。 DC/DC converters
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G080P06M
商品编号
C7465379
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.686克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)195A
导通电阻(RDS(on))6.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)294W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.4V
栅极电荷量(Qg)186nC@10V
输入电容(Ciss)15.87nF@30V
反向传输电容(Crss)730pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

G350P02LLE采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS:-20V
  • ID(VGS = -10V时):-4.5A
  • RDS(ON)(VGS = -4.5V时)< 35mΩ
  • RDS(ON)(VGS = -2.5V时)< 45mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准
  • ESD(HBM):4KV

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器