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G1K2C10S2
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:3A 3.5A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G1K2C10S2
- 商品编号
- C7465382
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A；3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V；110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V；32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF；670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF；16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF；25pF |
商品概述
G7K2N20LLE采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：200V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）< 700 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）< 720 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电（人体模型HBM）：2KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器