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GT060N04D52
2个N沟道 耐压:40V 电流:62A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，适用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT060N04D52
- 商品编号
- C7465295
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS):40V
- 漏极电流(ID,栅源电压VGS = 10V时):62A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):6.5mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):8.5mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器