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G100C04D52
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:40A 24A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G100C04D52
- 商品编号
- C7465303
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A；40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V；9mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V；45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.213nF；2.451nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF；213pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 224pF；173pF |
商品概述
G100C04D52采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- NMOS
- 漏源电压（VDS）40V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = 10V时）40A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = 10V时）< 9mΩ
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = 4.5V时）< 12mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- PMOS
- 漏源电压（VDS） -40V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = -10V时） -24A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = -10V时）< 16mΩ
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = -4.5V时）< 20mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器