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GT009N04D5实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GT009N04D5

1个N沟道 耐压:45V 电流:100A

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描述
使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。 可用于各种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
GT009N04D5
商品编号
C7465322
商品封装
DFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)45V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))1.1mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)86nC@10V
反向传输电容(Crss)1.115nF@20V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

G450N10D52采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,适用于多种应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS):100V
  • 漏极电流(ID,VGS = 10V时):35A
  • 导通电阻(RDS(ON),VGS = 10V时):< 45mΩ
  • 导通电阻(RDS(ON),VGS = 4.5V时):< 50mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率开关-直流-直流转换器

数据手册PDF